SiC是一種III-V族化合物半導體材料，具有多種同素異型結構。其中典型結構分為兩類，一類為類鑽石的閃鋅礦晶體結構3C-SiC (β-SiC)，另一類為類纖鋅礦的六方晶體結構；典型的有6H-SiC、4H-SiC及15R-SiC稱為α-SiC。其中又以4H-SiC和6H- SiC兩種在半導體領域最常使用。SiC元件提供了較高的電流密度，SiC電流密度可輕鬆達到5甚至10 A /mm²，相較於Si的電流則是低於1A/ mm²和較高的崩潰電壓( SiC:100 V/μm、 Si: 10 V/μm)。6H-SiC和4H-SiC最大的差異在於4H-SiC的電子遷移率是6H-SiC的兩倍，這是因為4H-SiC有較高的水平轴(a- axis)移動率。

SiC材料相較於傳統半導體元件材料Si而言具有較寬的能隙(SiC:3.2eV、Si:1.1eV)及高溫穩定性(Si的工作溫度不高於85ºC，而SiC晶片卻可以在250°C仍維持一樣的效能)以及良好熱導率等特性，使得SiC適合製作成在高溫、高壓、高頻、高功率及光電等電子元件領域應用，以及適用於航空航太系統、軍用武器系統及石油探勘、核能等極端環境領域應用優勢。

磊拓科技代理的高品質SiC單晶片具有高規格及品質穩定的特色，並且能夠提供semi-insulating以及conductive兩種形式；滿足高頻元件以及高功率元件的需求。目前的技術能力，能夠出貨MPD<1規格的晶片。

(一) 碳化矽晶圓產品規格( SiC Wafer Specification)

 

4-inch Specifications of 4H-SiC High-Purity Semi-Insulating Substrate

產品性能 P級 R級 D級 直徑 100.0mm+0.0/-0.5mm 表面取向 {0001}±0.2° 主參考面取向 <11-20>±5.0° 副參考面取向 順時針與主參考面成90°±5.0°, Si面朝上 主參考面長度 32.5mm±2.0mm 副參考面長度 18.0mm±2.0mm 晶片邊緣 倒角 微管密度 ≦5個/cm2 ≦10個/cm2 ≦50個/cm2 多型 不允許 累計面積≦10% 電阻率 ≧ 1E7Ω‧cm （面積75%）≧ 1E7Ω‧cm 厚度 500.μm±25.μm或350.0μm±25.μm 總厚度變化 ≦10μm ≦15μm 彎曲值（絕對值） ≦25μm ≦30μm 翹曲度 ≦45μm 表面粗糙度 Si-面CMP Ra≦0.5nm N/A 裂紋（強光燈觀測） 不允許 崩邊∕缺口 （漫反射光觀測） 不允許 ≦2個，且每個長度寬度均<1.0mm

 

4-inch Specifications of 4H-SiC N-type Substrate

產品性能 U級 P級 R級 D級 直徑 100.0mm+0.0/-0.5mm 表面取向 偏晶向：4° 偏向<11-20>±0.5° 主參考面取向 <11-20>±5.0° 副參考面取向 順時針與主參考面成90°±5.0°, Si面朝上 主參考面長度 32.5mm±2.0mm 副參考面長度 18.0mm±2.0mm 晶片邊緣 倒角 微管密度 ≦1個/cm2 ≦5個/cm2 ≦10個/cm2 ≦50個/cm2 多型 不允許 累計面積≦10% 電阻率 0.015Ω ‧ cm～0.028Ω ‧ cm （面積75%）0.015Ω‧cm ~0.028Ω ‧ cm 厚度 350.0μm±25.0μm或500.0μm±25.0μm 總厚度變化 ≦10μm ≦15μm 彎曲值（絕對值） ≦25μm ≦30μm 翹曲度 ≦45μm 表面處理 C-面：光學拋光；Si-面：化學機械拋光（CMP） 表面粗糙度 Si-面CMP Ra≦0.5nm N/A 裂紋（強光燈觀測） 不允許 崩邊∕缺口 （漫反射光觀測） 不允許 ≦2個，且每個長度寬度均<1.0mm

6-inch Specifications of 4H-SiC N-type Substrate

產品性能 標準 直徑 150.0mm±0.25mm 表面取向 偏晶向：4° 偏向<11-20>±0.5° 主參考面取向 <11-20>±5.0° 副參考面取向 N/A 主參考面長度 47.5mm±2.0mm 副參考面長度 N/A 晶片邊緣 倒角 微管密度 ≦5個/cm2 多型 不允許 電阻率 0.015Ω ‧ cm～0.028Ω ‧ cm 厚度 350.0μm±25.0μm 總厚度變化 ≦10μm 彎曲值（絕對值） ≦40μm 翹曲度 ≦60μm 表面處理 雙面拋光；Si面CMP 裂紋（強光燈觀測） 不允許 崩邊∕缺口 （漫反射光觀測） 不允許

 

(二) 碳化矽晶圓實體展示