碳化矽單晶結構具耐高溫與穩定性高等特性，目前已是半導體所常用元件，而現今的碳化矽長晶法包括高溫化學氣象沉積法(HTCVD)與高 溫昇華法(HTCVT，又稱PVT法)兩種，PVA TePla能夠提供這兩種長晶法用於量產設備。

SiCube為PVA TePla開發生長HTCVD/HTCVT型用於量產SiC單晶長晶爐。

技術參數

1. 晶體直徑：4 inch

2. 工作壓力 : 5 - 900 mbar

3. 工作溫度 : 2600 °C

4. 電功率 : 80kw

5. 電頻率 : 6~8 kHz

6. 設備所需尺寸 : 2000 x 2500 x 3725 mm

7. 設備重量 : 3800kg

baSiC-T為PVA TePla開發生長直徑4-6英寸用於量產碳化矽單晶長晶爐，此生長系統為高溫昇華HTCVT方式。

技術參數

1. 晶體直徑：4 ~6 inch

2. 工作壓力 : 1 - 900 mbar

3. 工作溫度 : 2600 °C

4. 電功率 : 60 kw

5. 電頻率 : 6~12 kHz

6. 設備所需尺寸 : 2000 x1200 x 2800 mm

7. 設備重量 : 約2000kg

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